金属酸化物構造体及びその製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：武井英夫 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999117564
Publication number (International publication number)：2000159599
Application date： Apr. 26, 1999
Publication date： Jun. 13, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【解決手段】断面の円換算径が0.01〜10000μmであり、かつ断面の円換算径に対する長さの比が0.1以上である金属酸化物の突起物を有する金属酸化物構造体、及び揮発性又は昇華性を有し、且つ、大気中の化合物と反応して酸化物を形成する一種または多種の金属化合物を放出し、金属化合物より高い温度に設定された基材上に吹き付ける上記の金属酸化物構造体の製造方法。【効果】本発明の構造体は、小さな容積で表面積を大きくすることができ、絶縁体、導電体、固体電解質、蛍光表示管、EL素子、セラミックコンデンサー、アクチュエーター、レーザー発振素子、冷陰極素子、強誘電体メモリー、圧電体、サーミスター、バリスタ等や表面修飾剤、表面保護剤、反射防止剤、抗菌、防汚効果等を目的とする表面改質剤、気相や液相やその両方の相における触媒やその担体等に使用することができる。

Claim (excerpt)：

断面の円換算径が0.01〜10000μmであり、かつ断面の円換算径に対する長さの比が0.1以上である金属酸化物の突起物を有する金属酸化物構造体。

IPC (2)：

C30B 29/62 , C23C 16/40

FI (3)：

C30B 29/62 C , C30B 29/62 D , C23C 16/40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

透明導電膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-091327 Applicant：グンゼ株式会社
特開平4-044640

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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