化合物半導体の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996131767
Publication number (International publication number)：1997320964
Application date： May. 27, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】保護膜上への多結晶の堆積がなく、成長領域にのみ選択性よくIII-V族化合物半導体薄膜の成長を行うことができる。【解決手段】 III-V族化合物半導体単結晶の{100}面に、ストライプ状の保護膜を<011>B方向を中心として45°以内の方向に形成した後、III-V族化合物半導体の原料ガスとともにハライドガスおよび/またはハロゲンガスを添加して、保護膜が形成されていない部分にIII-V族化合物半導体単結晶薄膜を選択成長させる。

Claim (excerpt)：

III-V族化合物半導体単結晶の{100}面に、ストライプ状の保護膜を<011>B方向を中心として±45°以内の方向に形成した後、III-V族化合物半導体の原料ガスとともにハライドガスおよび/またはハロゲンガスを添加して、保護膜が形成されていない部分にIII-V族化合物半導体単結晶薄膜を選択成長させる工程を含むことを特徴とする化合物半導体の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 , C30B 25/18 , C30B 29/40 502 , H01L 21/20

FI (4)：

H01L 21/205 , C30B 25/18 , C30B 29/40 502 C , H01L 21/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平2-188912
特開平1-287969
化合物半導体の選択成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-083267 Applicant：日本電気株式会社

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