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J-GLOBAL ID：200903041166873642
光半導体装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994086142
Publication number (International publication number)：1995297140
Application date： Apr. 25, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：
【要約】【目的】 光半導体装置の製造方法に関し、半導体結晶膜をストライプに選択成長した場合、必要部分の全長に亙って成長膜厚が均一となるようにし、又、選択成長用マスクを形成する際に選択成長の下地に与えられたダメージの影響を解消して、良質の結晶が得られるようにする。【構成】 マスク長LM として、レーザ部分Lの長さに有機金属気相成長法に於ける原料ガスの拡散長の少なくとも二倍の長さを加えた長さに設定し、半導体基板1上に於けるクラッド層2及び活性層3及びクラッド層4などの選択成長領域(選択成長領域幅WS )を表出させるストライプの開口をもつ選択成長用マスクMを形成し、その後、選択成長用マスクMを介して前記選択成長領域を含む半導体基板1上にレーザ部分Lを構成する半導体結晶層及びその半導体結晶層とは少なくとも厚さを異にする光導波路部分Gを構成する半導体結晶層を同時に成長させる。
Claim (excerpt)：
ストライプ方向のマスク長を特に平坦な半導体結晶層を必要とする素子の長さに有機金属気相成長法に於ける原料ガスの拡散長の少なくとも二倍の長さを加えた長さに設定して半導体基板上に於ける半導体結晶層の選択成長領域を表出させるストライプの開口をもつ選択成長用マスクを形成する工程と、次いで、有機金属気相成長法を適用して前記選択成長用マスクを介して前記選択成長領域を含む前記半導体基板上に特に平坦性が要求される半導体結晶層及び前記半導体結晶層とは少なくとも厚さを異にする半導体結晶層を同時に成長させる工程とが含まれてなることを特徴とする光半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
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半導体デバイス成長用マスクおよび半導体デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平3-243505
Applicant：日本電信電話株式会社
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半導体光集積素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平3-180746
Applicant：株式会社日立製作所
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半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-127305
Applicant：三洋電機株式会社
Cited by examiner (3)
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半導体デバイス成長用マスクおよび半導体デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平3-243505
Applicant：日本電信電話株式会社
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半導体光集積素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平3-180746
Applicant：株式会社日立製作所
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半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-127305
Applicant：三洋電機株式会社
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