窒化物半導体発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：豊栖康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997331040
Publication number (International publication number)：1999150302
Application date： Nov. 14, 1997
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】効率よく生産することができる電力効率のよい窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板上に発光層を含む1又は2以上の窒化ガリウム系半導体層を介して形成されたp型窒化ガリウム系半導体層と、透光性を有しかつp型窒化ガリウム系半導体層とオーミック接触する第1正電極と、第1正電極上の一部に形成された第2正電極とを備えた窒化物半導体発光素子であって、第2正電極は、W、Mo、Cr、Ti及びNiからなる群から選ばれた少なくとも1つを主成分として第1正電極に接するように形成された第1層と、該第1層上に形成されたAu又はPtを主成分として形成された第2層とを含む積層体が熱処理されてなり、第2正電極の直下の発光層における発光を抑制した。

Claim (excerpt)：

基板上に発光層を含む1又は2以上の窒化ガリウム系半導体層を介して形成されたp型窒化ガリウム系半導体層と、透光性を有しかつ上記p型窒化ガリウム系半導体層とオーミック接触する第1正電極と、上記第1正電極上の一部に形成された第2正電極とを備えた窒化物半導体発光素子であって、上記第2正電極は、W、Mo、Cr、Ti及びNiからなる群から選ばれた少なくとも1つを主成分として上記第1正電極に接するように形成された第1層と、該第1層上に形成されたAu又はPtを主成分として形成された第2層とを含む積層体が熱処理されてなり、上記第2正電極の直下の発光層における発光を抑制したことを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 29/43 , H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18 , H01L 29/46 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

3族窒化物化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-099095 Applicant：豊田合成株式会社
半導体光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-081948 Applicant：豊田合成株式会社

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