3族窒化物化合物半導体発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996099095
Publication number (International publication number)：1997266327
Application date： Mar. 27, 1996
Publication date： Oct. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】青色発光素子の発光強度の増加及び素子寿命の長期化【解決手段】p伝導型のクラッド層61とn+ 層3との間に発光層5が形成されている。発光層5とn+ 層3との間にそれらの格子不整合を緩和する中間層4が形成されている。中間層4の存在により発光層5の結晶性が改善され、発光強度が増加した。

Claim (excerpt)：

3族窒化物半導体から成る発光層と発光層に接合するn層とp層とを有する発光素子において、前記発光層と前記n層との間に、前記発光層と前記n層との間の格子定数の変化を緩和する組成比のn伝導型の中間層を設けたことを特徴とする3族窒化物化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 29/06

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 29/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-203084 Applicant：日本電信電話株式会社
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-319711 Applicant：富士通株式会社
半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-244497 Applicant：株式会社日立製作所

Show all

Return to Previous Page