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J-GLOBAL ID：200903031439529073

3族窒化物化合物半導体発光素子

Inventor：
浅見 慎也

About 浅見 慎也

, 
小池 正好

About 小池 正好


Applicant, Patent owner：
豊田合成株式会社

About 豊田合成株式会社


Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996099095
Publication number (International publication number)：1997266327
Application date： Mar. 27, 1996
Publication date： Oct. 07, 1997
Summary：
【要約】【課題】青色発光素子の発光強度の増加及び素子寿命の長期化【解決手段】p伝導型のクラッド層61とn+ 層3との間に発光層5が形成されている。発光層5とn+ 層3との間にそれらの格子不整合を緩和する中間層4が形成されている。中間層4の存在により発光層5の結晶性が改善され、発光強度が増加した。
Claim (excerpt)：
3族窒化物半導体から成る発光層と発光層に接合するn層とp層とを有する発光素子において、前記発光層と前記n層との間に、前記発光層と前記n層との間の格子定数の変化を緩和する組成比のn伝導型の中間層を設けたことを特徴とする3族窒化物化合物半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 29/06
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01L 29/06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-203084   Applicant：日本電信電話株式会社
  • 半導体レーザ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-319711   Applicant：富士通株式会社
  • 半導体発光装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-244497   Applicant：株式会社日立製作所
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Cited by examiner (8)
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-203084   Applicant：日本電信電話株式会社
  • 半導体レーザ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-319711   Applicant：富士通株式会社
  • 半導体発光装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-244497   Applicant：株式会社日立製作所
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