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J-GLOBAL ID：200903032729396030

半導体デバイスの計測または観察方法およびその装置

Inventor： 渡辺 正浩 ,  中田 俊彦 ,  真島 敏幸 ,  嶋瀬 朗
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002176541
Publication number (International publication number)：2004020404
Application date： Jun. 18, 2002
Publication date： Jan. 22, 2004
Summary：

【課題】長波長の光を用いながら、微細な半導体デバイス内部の電気的性質・物理的性質の計測・観察が可能な解像度の高い解析技術を提供することである。【解決手段】固体レンズを試料に密着させ、対物レンズと共に用いることにより、固体レンズの屈折率に比例して解像度を向上した、試料内部パターンの計測・観察が可能となる。これを用いることにより、回路の動作状態のプロービング、信号印加時の発光の場所による分布、光誘起電流の場所による分布、光誘起抵抗変化の場所による分布などが可能となる。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

光源からの照明光を対物レンズと該対物レンズと試料である半導体デバイスとの間に配置した近接レンズとを介して前記試料に照射し、該照明光が照射された試料の光学像を前記近接レンズと前記対物レンズとを介し検出することにより、前記照明光の波長と前記対物レンズの仕様で決まる解像度よりも微細な前記半導体デバイスのパターンを計測または観察することを特徴とする半導体デバイスの計測または観察方法。

IPC (3)：

G01R31/302 ,  G01N21/956 ,  G01R1/06

FI (3)：

G01R31/28 L ,  G01N21/956 A ,  G01R1/06 F

F-Term (17)：

2G011AA01 ,  2G011AE03 ,  2G051AA51 ,  2G051AB06 ,  2G051BA10 ,  2G051BB09 ,  2G051CA04 ,  2G051CB01 ,  2G051DA07 ,  2G051EA12 ,  2G051EA16 ,  2G051EA24 ,  2G132AA12 ,  2G132AE16 ,  2G132AE22 ,  2G132AF14 ,  2G132AF15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光学的内部検査援助装置及びその方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-024852   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 半導体集積回路内部相互配線の検査方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-085817   Applicant：日本電気株式会社