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J-GLOBAL ID：200903032741055400

シリコンウエハの切断方法

Inventor： 保坂 俊
Applicant, Patent owner： セイコーインスツルメンツ株式会社
Agent (1)： 林 敬之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999213613
Publication number (International publication number)：2001044142
Application date： Jul. 28, 1999
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 薄くなったシリコンウエハや基板を、割らずに個片に切断する。【解決手段】 シリコンウエハや基板を裏面研削するときに、表面に保護テープを貼る。保護テープを貼ったままシリコンウエハや基板の裏面を研削する。

Claim (excerpt)：

所望の厚みまで研削し、その後個片に切断する基板において、研削する面と反対の面に裏面研削保護用の保護テープを貼る工程と、裏面研削装置を用いて研削する工程を有するシリコンウエハの切断方法。

FI (2)：

H01L 21/78 M ,  H01L 21/78 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-143393   Applicant：シャープ株式会社
• 素子基板及び液晶表示装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-114196   Applicant：ソニー株式会社