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J-GLOBAL ID：200903032745055294
イオン源
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997095110
Publication number (International publication number)：1998275566
Application date： Mar. 28, 1997
Publication date： Oct. 13, 1998
Summary：
【要約】【課題】 径方向引き出しDuo-PIGatron型イオン源において同じ投入パワーでより大きいイオンビーム電流を引き出すこと。【解決手段】 第1放電室の中間電極と反対側の壁面近くに第2反射電極を取り付けフィラメント電位よりさらに低い電位を与える。これによって電子を中間電極の方へ追いやり第2放電室に入る電子数を増やす。電子流入量が増えるので励起されるプラズマが増えイオンビーム量も増える。
Claim (excerpt)：
不活性ガスを導入してこれをプラズマとする第1放電室と、第1放電室の内部に設けられ熱電子を発生するフィラメントと、第1放電室に絶縁物を介して接続され所望のガスの入口とイオンビームの出口を有する第2放電室と、第1放電室の出口に設けられ第2放電室に通ずる開口を有する中間電極と、第2放電室を正にフィラメントを負にバイアスする主放電電源と、第2放電室を正に中間電極を負にバイアスする副放電電源と、第2放電室の中間電極と反対側の壁に設けられ浮遊電位または第2放電室より低い電位にバイアスされる第1反射電極と、第1放電室と第2放電室に縦方向の磁場を与える磁石と、第1放電室の中間電極と反対側の壁に設けられフィラメントより負の電位を与えられた第2反射電極とを含むことを特徴とするイオン源。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
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イオン源
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-207633
Applicant：日新電機株式会社
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イオン注入装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-089756
Applicant：東京エレクトロン株式会社
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特開平2-204940
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