絶縁膜形成方法、半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001377201
Publication number (International publication number)：2003179049
Application date： Dec. 11, 2001
Publication date： Jun. 27, 2003
Summary：

【要約】【課題】絶縁特性の優れた高信頼性を有するhigh-k膜を実現する。【解決手段】シリコン基板10上に金属ハフニウム層12を形成した後、シリコン基板10の表面部及び金属ハフニウム層12を酸化することによって、high-k膜となるHf含有シリコン酸化膜14をシリコン基板10の表面部に形成する。

Claim (excerpt)：

シリコン層の上に、一の金属を含む金属膜を形成する工程と、前記シリコン層の表面部及び前記金属膜を酸化することによって、前記シリコン層の表面部に、前記一の金属を含むシリコン酸化膜を形成する工程とを備えていることを特徴とする絶縁膜形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/316 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 29/78

FI (4)：

H01L 21/316 C , H01L 21/316 S , H01L 29/78 301 G , H01L 27/04 C

F-Term (33)：

5F038AC15 , 5F038AC16 , 5F038AC18 , 5F038EZ16 , 5F038EZ20 , 5F058BA11 , 5F058BC03 , 5F058BF55 , 5F058BF62 , 5F058BF73 , 5F058BJ04 , 5F140AA19 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BD01 , 5F140BD06 , 5F140BD07 , 5F140BD13 , 5F140BE02 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE19 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF17 , 5F140BG08 , 5F140BG30 , 5F140BG33 , 5F140BG38 , 5F140BK12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭58-220457
特開昭62-008528
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-055888 Applicant：松下電器産業株式会社

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