酸化膜形成方法及び装置並びに基体生産物

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000332966
Publication number (International publication number)：2002151502
Application date： Oct. 31, 2000
Publication date： May. 24, 2002
Summary：

【要約】【課題】金属酸化物から成る高誘電体膜と基体との界面の特性劣化を十分に抑制できると共に、高誘電体膜として所望の組成比を確実に且つ簡易に得ることが可能な酸化膜形成方法及び装置を提供する。【解決手段】本発明による酸化膜形成方法では、まず、Si基層111を有するSiウェハWa上にPVD法によりAl、Zr等の金属層112を形成する。次に、金属層112上に水素ガス及び酸素ガスを未反応状態で供給しながらSiウェハWbを加熱する。両ガスは、SiウェハWb上で燃焼して水蒸気等の酸化性を有する化学種が生じる(ISSG)。この化学種により金属層112が酸化され、金属酸化膜113が形成される。更に酸化を継続すれば、Si基層111と金属酸化膜113との界面部が酸化され極薄のSiO2膜111aも形成され得る。

Claim (excerpt)：

基体上に金属酸化膜を形成する成膜方法であって、基体上に金属を堆積させて金属層を形成する金属層形成工程と、前記金属層を有する前記基体上に酸化性を有する化学種叉は該化学種の活性種を供給して前記金属を酸化する金属酸化工程と、を備える酸化膜形成方法。

IPC (15)：

H01L 21/316 , C23C 14/16 , C23C 14/58 , H01L 21/203 , H01L 21/283 , H01L 21/31 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (12)：

H01L 21/316 C , C23C 14/16 Z , C23C 14/58 A , H01L 21/203 S , H01L 21/203 Z , H01L 21/283 B , H01L 21/31 B , H01L 27/04 C , H01L 27/08 321 D , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 617 V

F-Term (81)：

4K029AA02 , 4K029AA06 , 4K029AA09 , 4K029AA11 , 4K029AA24 , 4K029BA01 , 4K029BA03 , 4K029BA16 , 4K029BA17 , 4K029EA03 , 4K029GA01 , 4M104AA01 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD86 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG20 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC18 , 5F038DF05 , 5F038EZ16 , 5F040EC04 , 5F040EC07 , 5F040ED03 , 5F045AA20 , 5F045AB31 , 5F045AC11 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045BB02 , 5F045BB16 , 5F045DC63 , 5F045DP04 , 5F045EE04 , 5F045EK12 , 5F045EN04 , 5F045GB05 , 5F045GB07 , 5F048AC03 , 5F048BB04 , 5F048BB11 , 5F058BA11 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BF11 , 5F058BF63 , 5F058BJ01 , 5F083AD11 , 5F083JA02 , 5F083JA06 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083PR12 , 5F083PR22 , 5F103AA01 , 5F103AA08 , 5F103DD27 , 5F103DD28 , 5F103HH03 , 5F103PP18 , 5F103PP20 , 5F103RR05 , 5F110CC07 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110FF01 , 5F110FF23 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

薄膜形成装置のターゲット保持機構
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-337947 Applicant：大見忠弘
特開平1-251742
半導体装置製造のための選択的酸化
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-292302 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

Show all

Return to Previous Page