光インターコネクト装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999105632
Publication number (International publication number)：2000298218
Application date： Apr. 13, 1999
Publication date： Oct. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】導波路を形成した基板に他の基板から切り出した光素子を貼り付ける従来の方法は導波路や光素子の端面における散乱をさけられない。また,光素子をハンドリングする必要があるため、装置の微細化は困難である。【解決手段】本願発明は、光導波路を形成した半導体基板に発光素子あるいは受光素子となる半導体層を選択的に成長させ、光導波路の少なくともコア層と発光素子あるいは受光素子の端面を直接接触させるものである。更には、本願発明は、所望基板に光導波路を形成した後に光素子を選択エピタキシャル成長によって形成することによって、光導波路のコア領域と発光素子の発光面あるいは受光面を接触させる製造方法を提供するものである。

Claim (excerpt)：

半導体基板に、光導波路と、発光素子と受光素子との少なくとも一者とを有し、該光導波路は屈折率の高いコア領域と屈折率の低いクラッド領域とを有し、当該光導波路の少なくともコア領域端面と前記発光素子の発光面あるいは該受光素子の受光面が接触していることを特徴とする光インターコネクト装置。

IPC (4)：

G02B 6/122 , H01L 27/14 , H01L 27/15 , H01L 31/12

FI (4)：

G02B 6/12 B , H01L 27/15 C , H01L 31/12 B , H01L 27/14 D

F-Term (24)：

2H047KA04 , 2H047KA12 , 2H047MA07 , 2H047PA21 , 2H047PA24 , 2H047QA04 , 2H047QA07 , 2H047RA00 , 2H047TA00 , 4M118AA10 , 4M118AB05 , 4M118BA02 , 4M118BA06 , 4M118EA01 , 4M118FC01 , 4M118FC16 , 4M118FC17 , 4M118FC18 , 4M118GA09 , 4M118HA23 , 5F089BC16 , 5F089CA21 , 5F089DA14 , 5F089DA15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭61-156231
特開昭62-141507
光反射端、光反射端の製造方法及び光反射端を用いた光干渉計
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-110685 Applicant：日本電信電話株式会社

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