Pat
J-GLOBAL ID：200903032958047600

CMOS画像センサー

Inventor：
アウグスト、カルロス・ジョタ・エルリ・ペー

About アウグスト、カルロス・ジョタ・エルリ・ペー


Applicant, Patent owner：
クォンタム セミコンダクター リミテッド ライアビリティ カンパニー

About クォンタム セミコンダクター リミテッド ライアビリティ カンパニー


Agent (2)： 朝日奈 宗太 ,  秋山 文男
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004558046
Publication number (International publication number)：2006509358
Application date： Dec. 09, 2003
Publication date： Mar. 16, 2006
Summary：
薄膜絶縁体上シリコン(TF-SOI)構造または薄膜絶縁体上ゲルマニウム(TF-GeOI)構造の上にCMOS画像センサーを作成する。基板の前面上に、光ダイオードをエピタキシャル成長で形成する。また、基板の前面上にセンサーマトリクス形状の金属接続層を積層する。TF-SOI基板またはTF-GeOI基板の前面の全体処理を完了した後、埋設絶縁層(埋設酸化層)下側の基板材を除去する。そして、酸化層の背面に一体構造体を形成する。その背面側に、所望の波長を透過する新規の基板を接合する。たとえば、新規の基板の例として、水晶、サファイヤ、ガラス、プラスチックなどが、可視光線透過に適切である。センサーマトリクス構造の背面入射が可能となり、CMOSが形成されている反対側の基板背面に形成された構造体へ光が入射できる。
Claim (excerpt)：
背面入射可能なCMOS画像センサーを製造する方法であって、 (a)薄膜絶縁体上シリコン(TF-SOI)基板、または、薄膜絶縁体上ゲルマニウム(TF-GeOI)基板を選択する工程と、 (b)基板の前面上に光ダイオード活性層をエピタキシャル成長にて作成する工程と、 (c)基板の前面上にセンサーマトリクス体の金属製の高密相互接続線を作成する工程と、 (d)TF-SOI基板またはTF-GeOI基板の前面側の全処理完了後に、埋設絶縁(酸化)層下方の基板を除去する工程と、 (e)埋設酸化層の背面上に一体化積層体を作成する工程と、 (f)所定の波長の光を透過させる新規素材の基板を、積層体背面に接合する工程とからなるCMOS画像センサー製造方法。
IPC (3)：
H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H01L 27/14
FI (4)：
H01L27/14 C ,  H01L31/10 A ,  H01L27/14 A ,  H01L27/14 D
F-Term (28)：
4M118AA04 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CA14 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB24 ,  4M118GA02 ,  4M118GB04 ,  4M118GB07 ,  4M118GC08 ,  4M118GD04 ,  4M118GD11 ,  4M118HA25 ,  4M118HA26 ,  4M118HA27 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NB05 ,  5F049SS07 ,  5F049SZ06 ,  5F049UA01 ,  5F049UA20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM