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J-GLOBAL ID：200903033005653046

3族窒化物半導体素子

Inventor： 山崎 史郎 ,  永井 誠二 ,  小池 正好 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995308251
Publication number (International publication number)：1997129925
Application date： Oct. 31, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】3族窒化物半導体を用いた素子を高性能化し製造速度を向上させる。【解決手段】基板1と基板1上に形成されたバッファ層2とそのバッファ層2上に形成された3族窒化物半導体から成る基底層3とその基底層3上に形成された3族窒化物半導体から成る素子層4,5,61,62とを有する半導体素子10において、基底層3を有機金属化合物気相成長法(MOVPE) により形成し、素子層4,5,61,62を分子線エピタキー法(MBE) により形成した。

Claim (excerpt)：

基板と基板上に形成されたバッファ層とそのバッファ層上に形成された3族窒化物半導体から成る基底層とその基底層上に形成された3族窒化物半導体から成る素子層とを有する半導体素子において、前記基底層は有機金属化合物気相成長法(MOVPE) により形成された層であり、前記素子層は分子線エピタキー法(MBE) により形成された層であることを特徴とする3族窒化物半導体素子。

IPC (5)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

FI (5)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 量子井戸型半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-314770   Applicant：旭化成工業株式会社
• 特開平2-081483
  
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-038157   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (3)

• 量子井戸型半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-314770   Applicant：旭化成工業株式会社
• 特開平2-081483
  
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-038157   Applicant：株式会社東芝