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J-GLOBAL ID：200903033047701237

直付リ-ド線を備えるICチップパッケ-ジ

Inventor： ワイ・モハメッド・カセム ,  アンソニー・シー・ツイ ,  リソング・ラオ ,  ユエ-セ・ホー
Applicant, Patent owner： シリコニックス・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大島 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999152080
Publication number (International publication number)：1999354702
Application date： May. 31, 1999
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】 オン抵抗を低減すると共に、放熱特性に優れた半導体デバイス構造を提供する。【解決手段】 半導体デバイスは上側或いは下側表面上にコンタクト領域を有する半導体チップを備える。第1及び第2のリードアセンブリはそれぞれ、導電性材料の半硬質シートから形成され、半導体チップのコンタクト領域のそれぞれ別々の1つに取着されるリードアセンブリコンタクトを備える。また第1及び第2のリードアセンブリはそれぞれ、リードアセンブリコンタクトに接続され、そこから延在する少なくとも1本のリード線を備える。封入体が半導体チップ、第1のリードアセンブリのリードアセンブリコンタクト及び第2のリードアセンブリのリードアセンブリコンタクトを封入する。リードアセンブリをチップに直結することによりパッケージが関与する電気的及び熱的抵抗は低くなる。

Claim (excerpt)：

半導体デバイスであって、上側及び下側表面を備え、前記上側及び下側表面のうちの選択された1つにおいて複数のコンタクト領域を備える半導体ダイと、前記半導体ダイの前記コンタクト領域の第1の領域に取着されるリードアセンブリコンタクトを備え、前記リードアセンブリコンタクトに接続される少なくとも1本のリード線をさらに備える第1の半硬質のリードアセンブリと、前記半導体ダイの前記コンタクト領域の第2の領域に取着されるリードアセンブリコンタクトを備え、前記リードアセンブリコンタクトに接続される少なくとも1本のリード線をさらに備える第2の半硬質のリードアセンブリと、前記半導体ダイ、前記第1のリードアセンブリの前記リードアセンブリコンタクト及び前記第2のリードアセンブリの前記リードアセンブリコンタクトを封入する封入体とを備えることを特徴とする半導体デバイス。

FI (3)：

H01L 23/48 L ,  H01L 23/48 M ,  H01L 23/48 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-221113   Applicant：株式会社日立製作所
• 面実装型半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-071450   Applicant：オリジン電気株式会社