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J-GLOBAL ID：200903033053459553

金属酸化物誘電体膜の気相成長方法

Inventor：
辰巳 徹

About 辰巳 徹

, 
山下 篤

About 山下 篤


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998219187
Publication number (International publication number)：2000058526
Application date： Aug. 03, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、配向性、結晶性ともに優れた金属酸化物をプラグ上に低温で形成することを可能にする金属酸化物誘電体膜の気相成長方法を提供することを目的とし、さらに、この気相成長方法を用いて微細化され、高集積化され、多層メタル化された半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 基板上への有機金属材料ガスを用いた金属酸化物誘電体膜の気相成長方法であって、真空容器内に配した基板を加熱しながら、有機金属材料ガスと酸化ガスを別の導入口から真空容器内に導入し、真空容器内の全圧が1×10-2Torr以下で成膜することを特徴とする金属酸化物誘電体膜の気相成長方法。
Claim (excerpt)：
基板上への有機金属材料ガスを用いた金属酸化物誘電体膜の気相成長方法であって、真空容器内に配した基板を加熱しながら、有機金属材料ガスと酸化ガスを別の導入口から真空容器内に導入し、真空容器内の全圧が1×10-2Torr以下で成膜することを特徴とする金属酸化物誘電体膜の気相成長方法。
IPC (8)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/365 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (7)：
H01L 21/31 B ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/365 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651
F-Term (59)：
4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA42 ,  4K030BB12 ,  4K030CA02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA04 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA04 ,  5F045AB32 ,  5F045AB40 ,  5F045AC07 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB07 ,  5F045BB12 ,  5F045BB15 ,  5F045BB19 ,  5F045CA05 ,  5F045CB05 ,  5F045CB10 ,  5F045DP04 ,  5F045EB08 ,  5F045EC09 ,  5F045EE04 ,  5F045EE12 ,  5F045EG02 ,  5F045EG03 ,  5F045EG04 ,  5F045EG08 ,  5F045EM09 ,  5F045EM10 ,  5F045EN04 ,  5F083AD49 ,  5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083GA29 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR21 ,  5F083PR40
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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