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J-GLOBAL ID：200903072170538451

改善された接合を有する電気的にプログラム可能なメモリ素子

Inventor： ローリー、 タイラー ,  オヴシンスキー、 スタンフォード アール. ,  ウィッカー、 ギー スィー. ,  クラーシー、 パトリック ジェイ. ,  パシュマコフ、 ボイル ,  ジュバッティ、 ヴォロディミール ,  コスティレフ、 セルゲイ
Applicant, Patent owner： オヴォニクス インコーポレイテッド
Agent (1)： 三好 秀和
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000607287
Publication number (International publication number)：2002540605
Application date： Mar. 22, 2000
Publication date： Nov. 26, 2002
Summary：

【要約】ある容積の相変化記憶材料(250)、及び電流を記憶材料(250)へ供給するための第一及び第二接合から成るメモリ素子、此処で第一接合は伝導性側壁スペーサ(130A,B)から成る。代りに、第一接合は記憶材料に隣接した端面を具備する接合層から成ることもある。

Claim (excerpt)：

以下の構成から成ることを特徴とする、電気的にプログラマブルな単一セルメモリ素子: ある容積の相変化記憶材料; 及び 前記記憶材料に電気的信号を供給するための第一及び第二接合、前記第一接合は伝導性側壁スペーサから成る。

IPC (3)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (3)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/08 321 G ,  H01L 27/08 321 K

F-Term (28)：

5F048AA01 ,  5F048AA09 ,  5F048AB01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB19 ,  5F048BD07 ,  5F048BF01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF04 ,  5F048BF07 ,  5F048BH02 ,  5F048CB07 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA28 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR36 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭47-041570
  
• テーパード・コンタクトを有するマルチビット単一セルメモリ
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平9-538209   Applicant：エナージーコンバーションデバイセスインコーポレイテッド
• 電極間に小面積のコンタクトを製造するための方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平10-531338   Applicant：マイクロンテクノロジーインコーポレーテッド