半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002262712
Publication number (International publication number)：2003163417
Application date： Sep. 09, 2002
Publication date： Jun. 06, 2003
Summary：

【要約】【課題】 III-V族窒化物半導体からなる半導体発光素子に設ける電流ブロック層の密着性を向上し且つピンホール密度を小さくできるようにする。【解決手段】サファイアからなる基板10の上には、n型GaNからなるn型バッファ層11、n型AlGaNからなるn型クラッド層12、n型GaNからなるn型光ガイド層13、アンドープGaInNからなる単一量子井戸型活性層14、p型GaNからなるp型光ガイド層15、p型AlGaNからなるp型クラッド層16、及びp型GaNからなるp型コンタクト層17が形成されている。p型クラッド層16の上部及びp型コンタクト層17にリッジ部を形成する電流ブロック層18は、III-V族窒化物半導体を構成する窒素原子の一部を酸素原子で置換した誘電体により形成されている。

Claim (excerpt)：

基板の上に形成された活性層と、前記活性層の上に形成され、III-V族窒化物からなる半導体層と、前記半導体層に、該半導体層を露出する開口部を有するように形成され、前記半導体層を構成する窒素原子の一部が酸素原子に置換された誘電体からなる電流ブロック層とを備えていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 5/223 , H01S 5/323 610

FI (2)：

H01S 5/223 , H01S 5/323 610

F-Term (12)：

5F073AA13 , 5F073AA22 , 5F073AA45 , 5F073AA73 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073DA24 , 5F073DA27 , 5F073EA15 , 5F073EA23

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-342768 Applicant：日本電気株式会社
窒化物系半導体素子、窒化物系発光素子及び窒化物系半導体層の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-219966 Applicant：三洋電機株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-009004 Applicant：松下電器産業株式会社

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Cited by examiner (3)

窒化物系半導体素子、窒化物系発光素子及び窒化物系半導体層の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-219966 Applicant：三洋電機株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-009004 Applicant：松下電器産業株式会社
窒化物半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-159341 Applicant：日亜化学工業株式会社

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