薄膜気相成長装置

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：渡邉勇 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997211339
Publication number (International publication number)：1999043773
Application date： Jul. 22, 1997
Publication date： Feb. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】成膜室内の壁面において成膜原料の高温での分解を避け、基板上に均一で品質の高い成膜処理を安定に行うことができるような薄膜気相成長装置を提供する。【解決手段】全体がほぼ筒状の気密な成膜室10に、基板を保持し加熱する保持加熱手段12と、保持加熱手段12を少なくとも成膜位置と搬送位置の間で昇降させる昇降機構14と、成膜室10の頂部より基板に向けて成膜原料ガスを噴射するガス噴射ヘッド16と、成膜室10の側壁18の搬送位置に対応する高さに開口する基板搬送口20と、成膜室10の側壁18の成膜位置と搬送位置の間の高さに開口する排気口22とが設けられた薄膜気相成長装置において、成膜位置にある基板保持加熱手段12の周囲を取り囲む略円筒状の断熱部材44を有する。

Claim (excerpt)：

全体がほぼ筒状の気密な成膜室に、基板を保持し加熱する保持加熱手段と、該保持加熱手段を少なくとも成膜位置と搬送位置の間で昇降させる昇降機構と、成膜室の頂部より基板に向けて成膜原料ガスを噴射するガス噴射ヘッドと、成膜室の側壁の前記搬送位置に対応する高さに開口する基板搬送口と、成膜室の側壁の前記成膜位置と搬送位置の間の高さに開口する排気口とが設けられた薄膜気相成長装置において、成膜位置にある基板保持加熱手段の周囲を取り囲む略円筒状の断熱部材を有することを特徴とする薄膜気相成長装置。

IPC (4)：

C23C 16/46 , C23C 16/54 , H01L 21/205 , H01L 21/31

FI (4)：

C23C 16/46 , C23C 16/54 , H01L 21/205 , H01L 21/31 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

薄膜気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-108465 Applicant：株式会社荏原製作所
基板処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-253294 Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (2)

薄膜気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-108465 Applicant：株式会社荏原製作所
基板処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-253294 Applicant：株式会社東芝

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