絶縁性強磁性半導体

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003037000
Publication number (International publication number)：2003318026
Application date： Feb. 14, 2003
Publication date： Nov. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】絶縁性及び強磁性を兼ね備えた半導体を提供すること。【解決手段】分子エピタキシー法により、II-VI族半導体のII族元素の一部をCrで置換して絶縁性強磁性半導体を合成する。II族元素としては、Zn、Cd、Hg、VI族元素としてはS、Se、Te、Oが選択できる。本発明の半導体を、II-VI族半導体母相と同じ結晶構造を有し、かつ格子定数の相違が小さなもの、例えば、GaAs単結晶基板、サファイア単結晶基板、ガラス基板などを使用すると、本発明の絶縁性強磁性半導体は単結晶となる。又、本発明の半導体は微弱な磁場に対して電気抵抗率が高感度に感応するので高感度磁気感応材料として、センサー材料、磁気読み取り書き込みヘッド材料として適している。

Claim (excerpt)：

II-VI族半導体のII族元素をCrで置換したことを特徴とする絶縁性強磁性半導体。

IPC (4)：

H01F 10/193 , H01F 1/40 , H01L 43/08 , H01F 41/30

FI (4)：

H01F 10/193 , H01L 43/08 S , H01F 41/30 , H01F 1/00 A

F-Term (7)：

5E040AB09 , 5E040AB10 , 5E040CA11 , 5E049AB09 , 5E049AB10 , 5E049AC03 , 5E049BA22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭51-023695
強磁性スピントンネル効果素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-023256 Applicant：株式会社豊田中央研究所
磁気抵抗効果素子とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-013220 Applicant：松下電器産業株式会社

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