モニタリング方法、製造装置、及び製造システム

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (10)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004122840
Publication number (International publication number)：2005307239
Application date： Apr. 19, 2004
Publication date： Nov. 04, 2005
Summary：

【課題】膜形成を行なう製造装置において、プロセスガス供給の異常を迅速に検出できる半導体製造装置のモニタリング方法、及び製造システムを提供する。【解決手段】製造装置においてリアルタイムで製造パラメータのアナログデータを取得し、モニタリングする。そしてパラメータAが予め設定された値L1に達するまでの過渡時間Mと、パラメータBが予め設定された値L3に達するまでの過渡時間Nとをモニタリングする。また、パラメータAのしきい値L2とパラメータBのしきい値L4、パラメータAのしきい値確認時間XとパラメータBのしきい値確認時間Yを設定することによりそれぞれの設定値L1,L3への到達が認識でき、これにより、パラメータAとパラメータBの相関を算出させた仮想センサーをモニタリングする。仮想センサーに予め規格範囲Eを設定し、この範囲を連続X秒外れた際にアラームGを発報することもできる。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

第1のガスと、上記第1のガスと反応して物質膜を堆積させる第2のガスとを用いて上記物質膜を形成する製造装置を、上記製造装置から得たデータを演算するデータ1次整理装置によってモニタリングするモニタリング方法であって、上記物質膜の形成時に、上記製造装置の第1のパラメータが第1の状態から予め設定された第2の状態に達するまでの時間が第1の設定範囲から外れているか否かを監視するステップ(a)と、上記物質膜の形成時に、上記製造装置の第2のパラメータが第3の状態から予め設定された第4の状態に達するまでの時間が第2の設定範囲から外れているか否かを監視するステップ(b)とを含んでいる、モニタリング方法。

IPC (5)：

C23C16/52 , H01L21/205 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/316

FI (5)：

C23C16/52 , H01L21/205 , H01L21/28 301R , H01L21/285 C , H01L21/316 B

F-Term (17)：

4K030CA04 , 4K030CA17 , 4K030HA15 , 4K030JA05 , 4K030LA15 , 4M104BB18 , 4M104DD43 , 5F045AA03 , 5F045AB01 , 5F045AB06 , 5F045GB04 , 5F045GB20 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BF02 , 5F058BF36

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体製造装置の管理システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-068903 Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (1)

制御装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-266123 Applicant：三菱電機株式会社

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