高出力ダイヤモンド半導体素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007217414
Publication number (International publication number)：2009054641
Application date： Aug. 23, 2007
Publication date： Mar. 12, 2009
Summary：

【課題】電極縁辺の電界集中を抑えることが可能となり、高電界でも低リーク電流で高い電圧まで動作するダイヤモンド素子を提供する。【解決手段】ショットキー電極をカソードとし、オーミック電極をアノードとするショットキー電極、ダイヤモンドp-ドリフト層、ダイヤモンドp+オーミック層、オーミック電極からなる構造の高出力ダイヤモンド半導体素子において、ショットキー電極とダイヤモンドp-ドリフト層の接合面の一部に、pn接合層を設けることを特徴とする高出力ダイヤモンド半導体素子。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ショットキー電極をカソードとし、オーミック電極をアノードとするショットキー電極、ダイヤモンドp-ドリフト層、ダイヤモンドp+オーミック層、オーミック電極からなる構造の高出力ダイヤモンド半導体素子において、ショットキー電極とダイヤモンドp-ドリフト層の接合面の一部に、pn接合層を設けることを特徴とする高出力ダイヤモンド半導体素子。

IPC (2)：

H01L 29/47 , H01L 29/872

FI (2)：

H01L29/48 D , H01L29/48 E

F-Term (8)：

4M104AA10 , 4M104FF31 , 4M104FF35 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG07 , 4M104GG12 , 4M104HH18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

耐圧周縁端部構造を備えた半導体デバイス
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平8-505354 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
特開平4-067527
MIS型電界効果トランジスタ及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-134975 Applicant：ソニー株式会社

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