ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999207793
Publication number (International publication number)：2001035817
Application date： Jul. 22, 1999
Publication date： Feb. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】薄厚研削時や搬送時のウェーハの割れやチッピングを抑制でき、品質劣化を防止できるウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】素子が形成されたウェーハ21のダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、ウェーハの素子形成面21’側から完成時のチップの厚さよりも深い溝22を形成し、このウェーハにおける素子の形成面上に保持部材26を貼り付ける。その後、ウェーハの裏面を完成時のチップの厚さまで研削及び研磨して個々のチップ29に分離し、分離された複数のチップをポーラス吸着にて保持しつつ搬送することを特徴とする。ウェーハの裏面を研削及び研磨して個々のチップに分離するので、ウェーハの割れやチッピングを抑制でき、個々のチップをポーラス吸着にて保持しつつ搬送するのでチップ間で干渉してチッピングが発生するのを抑制できる。これによって、高品質化と歩留まりの向上が図れる。

Claim (excerpt)：

半導体素子が形成されたウェーハのダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、上記半導体素子の形成面側から完成時のチップの厚さよりも深い溝を形成する工程と、上記ウェーハにおける半導体素子の形成面上に保持部材を貼り付ける工程と、上記ウェーハの裏面を上記完成時のチップの厚さまで研削及び研磨し、ウェーハを個々のチップに分離する工程と、分離された複数のチップをポーラス吸着にて保持しつつ搬送する工程とを具備することを特徴とするウェーハの分離方法。

IPC (4)：

H01L 21/301 , B65G 49/07 , H01L 21/50 , H01L 21/68

FI (5)：

H01L 21/78 Q , B65G 49/07 G , H01L 21/50 B , H01L 21/68 A , H01L 21/68 P

F-Term (8)：

5F031CA02 , 5F031DA13 , 5F031GA24 , 5F031GA26 , 5F031MA22 , 5F031MA35 , 5F031MA37 , 5F031PA18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-197291 Applicant：株式会社東芝
半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-178391 Applicant：株式会社東芝
ウェーハ搬送手段
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-209320 Applicant：株式会社ディスコ

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