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J-GLOBAL ID:200903055216326428
ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997197291
Publication number (International publication number):1999040520
Application date: Jul. 23, 1997
Publication date: Feb. 12, 1999
Summary:
【要約】【課題】ダイシング時におけるチッピングを防止できるウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】半導体素子が形成されたウェーハ21上に格子状に配置されたダイシングラインに沿って上記半導体素子の形成面側から完成時のチップの厚さよりも深い溝22を形成し、上記ウェーハにおける半導体素子の形成面上に保持用のシート26を貼り付け、上記ウェーハの裏面を上記完成時のチップの厚さまで研削及び研磨し、ウェーハを個々のチップに分離する特徴としている。ウェーハの裏面を研削及び研磨することによってウェーハを個々のチップに分離するので、ハーフカット法でダイシングした後、外力を加えて分割する方法やフルカット法でシートまで切り込んで切断し、分離する従来の方法に比してダイシングの際のチッピングを抑制できる。
Claim (excerpt):
半導体素子が形成されたウェーハのダイシングラインに沿って、上記半導体素子の形成面側から完成時のチップの厚さよりも深い溝を形成する工程と、上記ウェーハにおける半導体素子の形成面上に保持部材を貼り付ける工程と、上記ウェーハの裏面を上記完成時のチップの厚さまで研削及び研磨し、ウェーハを個々のチップに分離する工程とを具備することを特徴とするウェーハの分割方法。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (11)
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半導体素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-236260
Applicant:株式会社東芝
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ペレットの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-141237
Applicant:株式会社東芝
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半導体製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-277793
Applicant:沖電気工業株式会社
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-052663
Applicant:松下電子工業株式会社
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半導体素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-318719
Applicant:株式会社東芝
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ウェハ貼着用粘着シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-062610
Applicant:日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, リンテック株式会社
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-178523
Applicant:日本電気株式会社
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半導体素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-190380
Applicant:株式会社東芝
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突き上げピンおよび半導体製造装置および半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-316403
Applicant:株式会社東芝
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半導体チップ分離装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-203585
Applicant:三星電子株式会社
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特開平4-298063
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