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J-GLOBAL ID：200903033314237510

半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： 横川 俊哉 ,  吉井 重雄 ,  佐々井 洋一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996006555
Publication number (International publication number)：1996255955
Application date： Jan. 18, 1996
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：

【要約】【課題】 低しきい値電流密度で発振する半導体レーザを提供する。【解決手段】 n型GaAs基板11上に、n型ZnSeエピタキシャル層12、n型ZnMgSSeクラッド層13、n型ZnSSe光導波層14、ZnCdSe活性層15、p型ZnSSe光導波層16、p型ZnMgSSeクラッド層17、p型ZnTeコンタクト層18、多結晶ZnO埋込層19を形成する。さらにp型AuPd電極110とn型In電極111とを形成する。ここでは、多結晶ZnO埋込層19を電流狭窄層と光閉込め層に用いていることにより、熱放散が良いことから低しきい値電流密度と長寿命が実現できる。また効果的な光閉込めにより単一横モードレーザ発振が得られる。

Claim (excerpt)：

II-VI族半導体エピタキシャル層と、該II-VI族半導体エピタキシャル層の上に設けられたZnO層と、を備える、半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平4-199752
  
• 選択エッチング方法ならびに光電子素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-074389   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-046059   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体光導波路の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-031018   Applicant：光計測技術開発株式会社
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-172432   Applicant：株式会社島津製作所
• 特開平3-161981