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J-GLOBAL ID：200903033351808323

気相成長装置及び気相成長方法

Inventor：
梅宮 茂良

About 梅宮 茂良

, 
近藤 正雄

About 近藤 正雄


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002355898
Publication number (International publication number)：2004193173
Application date： Dec. 06, 2002
Publication date： Jul. 08, 2004
Summary：
【課題】MOCVD法に適用した際に製造コストを低減することができる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。【解決手段】成膜ガス用配管11に成膜ガスを供給し、不活性ガス用配管12に不活性ガスを供給する。このようなガスの供給を行うと、基体13の中央部に配置されている成膜ガス用ノズル16から噴出された成膜ガスがステージ上に載置されたウェハの表面を流れるのに対し、不活性ガス用ノズル17から噴出された不活性ガスは、ウェハの表面に到達することなくウェハの上方に拡がる。この結果、成膜ガスのウェハの上方への拡散が抑制される。このため、成膜ガスの利用効率が向上し、製造コストを低減することが可能となる。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
その上にウェハが載置されるステージと、 原料ガス及びこの原料ガスと反応する反応ガスを含有する成膜ガスを前記ステージに向けて供給するシャワーヘッドと、 を有する気相成長装置において、 前記シャワーヘッドは、 少なくとも前記ステージの中心に向けて前記成膜ガスを噴出する第1のガス噴出手段と、 前記反応ガス及び不活性ガスからなる群から選択された少なくとも1種の非原料ガスを、前記第1のガス噴出手段の周囲から前記ステージに向けて噴出する第2のガス噴出手段と、 を有することを特徴とする気相成長装置。
IPC (2)：
H01L21/31 ,  C23C16/455
FI (2)：
H01L21/31 B ,  C23C16/455
F-Term (12)：
4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030EA04 ,  4K030EA06 ,  4K030EA08 ,  5F045AA04 ,  5F045BB08 ,  5F045DP03 ,  5F045EF05 ,  5F045EF08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 処理ガス供給構造及び成膜処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-095503   Applicant：日本電気株式会社, 東京エレクトロン株式会社
  • 薄膜気相成長装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-334387   Applicant：日新電機株式会社
  • 特開平4-348031

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