処理ガス供給構造及び成膜処理装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：浅井章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000095503
Publication number (International publication number)：2001284335
Application date： Mar. 30, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】多元素からなる金属酸化物薄膜を化学気相成長法によって成膜するに際し、膜中における各元素の面内組成均一性及び面内膜厚均一性を高く維持することができる処理ガス供給構造及び成膜処理装置を提供する。【解決手段】原料ガスと酸化ガスとをシャワーヘッド本体55の噴射孔52,54より処理容器4内へ個別に導入して被処理体に成膜処理を施す成膜処理装置の処理ガス供給構造において、前記噴射孔を同心状に内周、中周及び外周の少なくとも3つのゾーン74A,74B,74Cに区分し、前記内周ゾーンの噴射孔からは原料ガスを導入し、前記中周ゾーンの噴射孔からは原料ガスと酸化ガスとを個別に導入し、前記外周ゾーンの噴射孔からは酸化ガスを導入させる。これにより、多元素からなる金属酸化物薄膜の膜中における各元素の面内組成均一性及び面内膜厚均一性を高く維持する。

Claim (excerpt)：

原料ガスと酸化ガスとをシャワーヘッド本体の噴射孔より処理容器内へ個別に導入して被処理体に成膜処理を施す成膜処理装置の処理ガス供給構造において、前記噴射孔を同心状に内周、外周の2つのゾーンに区分し、前記内周ゾーンの噴射孔からは原料ガスを導入し、前記外周ゾーンの噴射孔からは酸化ガスを導入させるように構成したことを特徴とする処理ガス供給構造。

IPC (4)：

H01L 21/31 , C23C 16/455 , H01L 21/316 , H01L 27/10 451

FI (4)：

H01L 21/31 B , C23C 16/455 , H01L 21/316 X , H01L 27/10 451

F-Term (44)：

4K030AA09 , 4K030AA24 , 4K030BA18 , 4K030BA22 , 4K030BA42 , 4K030CA04 , 4K030EA05 , 4K030FA10 , 4K030KA45 , 4K030LA15 , 5F045AA04 , 5F045AB31 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AF03 , 5F045AF07 , 5F045BB02 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EC09 , 5F045EF04 , 5F045EF05 , 5F045EF07 , 5F045EG03 , 5F045EK07 , 5F045EK11 , 5F058BA20 , 5F058BB07 , 5F058BC20 , 5F058BF04 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BG02 , 5F058BJ01 , 5F083FR01 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083PR21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

成膜装置及び成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-274354 Applicant：東京エレクトロン株式会社
金属酸化物誘電体膜の気相成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-219184 Applicant：日本電気株式会社
特開平2-252239

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