プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993264351
Publication number (International publication number)：1995099182
Application date： Sep. 27, 1993
Publication date： Apr. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】安価なプラズマ処理装置とプラズマ処理方法を提供する。特にアッシング装置とアッシング方法を提供する。【構成】大気圧で安定に放電する装置とその方法を用いてアッシング装置とその方法を実現する。大気圧放電装置は一対の電極間に誘電体を挿入したもので、該電極間に希ガスを流し電極間に印加した電界でプラズマを生成する。希ガスに酸素を供給するガスを反応ガスとして添加する。反応ガスは3%以下好ましくは1%以下が良い。

Claim (excerpt)：

大気圧下での放電をもちいて基板上の有機物を除去することを特徴とするプラズマ処理方法

IPC (2)：

H01L 21/3065 , H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/302 H , H01L 21/30 572 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

回路用基板のプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-032489 Applicant：松下電工株式会社, 岡崎幸子, 小駒益弘
特開平4-212253
管内大気圧グロープラズマ反応方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平2-409460 Applicant：新技術事業団

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Cited by examiner (6)

回路用基板のプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-032489 Applicant：松下電工株式会社, 岡崎幸子, 小駒益弘
特開平4-212253
管内大気圧グロープラズマ反応方法
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