シリコン酸化膜の形成方法および形成用組成物

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大島正孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001284664
Publication number (International publication number)：2003092297
Application date： Sep. 19, 2001
Publication date： Mar. 28, 2003
Summary：

【要約】【課題】緻密な膜質のシリコン酸化膜を簡便な方法で製造する方法およびそのために用いられる組成物を提供すること。【解決手段】 (A)(a1)式SinRm(ここで、nは3以上の整数を表し、mはn〜(2n+2)の整数を表しそして複数個のRは、互いに独立に、水素原子、アルキル基、フェニル基またはハロゲンを表す)で表される化合物および(a2)有機ヒドロキシ化合物および有機カルボン酸よりなる群から選ばれる化合物との反応生成物、ならびに(B)溶媒を含有する組成物。この組成物を基体上に塗布し、次いで熱および/または光で処理するシリコン酸化膜の形成方法。

Claim (excerpt)：

(A)(a1)式SinRm(ここで、nは3以上の整数を表し、mはn〜(2n+2)の整数を表しそして複数個のRは、互いに独立に、水素原子、アルキル基、フェニル基またはハロゲンを表す)で表される化合物および(a2)有機ヒドロキシ化合物および有機カルボン酸よりなる群から選ばれる化合物との反応生成物、ならびに(B)溶媒を含有することを特徴とする組成物。

IPC (2)：

H01L 21/316 , C01B 33/12

FI (2)：

H01L 21/316 G , C01B 33/12 C

F-Term (15)：

4G072AA25 , 4G072BB09 , 4G072GG01 , 4G072GG03 , 4G072HH29 , 4G072JJ38 , 4G072JJ41 , 4G072MM01 , 4G072MM02 , 4G072RR12 , 5F058BC02 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BH17 , 5F058BH20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜の製造法、シリカ系被膜及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-056289 Applicant：日立化成工業株式会社
シリコン膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-133185 Applicant：シャープ株式会社
絶縁膜の形成方法および絶縁膜パターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-331997 Applicant：株式会社東芝

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