非晶質フェリ磁性合金を使用してスピン偏極電流で書き込みを行なう磁気メモリ及びその書き込み方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：河野登夫 , 河野英仁
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003529474
Publication number (International publication number)：2005503669
Application date： Sep. 19, 2002
Publication date： Feb. 03, 2005
Summary：

【課題】本発明は磁気メモリに関する。【解決手段】磁化が固定されている固定層61と称される磁性層と、磁化を反転させることが可能な自由層63と称される磁性層と、自由層73と固定層71との間に挟まれていてこれらの2つの層それぞれと接触している絶縁層62とを備える磁気トンネル接合60で各メモリポイントが構成されている。自由層63は、希土類又は遷移金属を主体とする非晶質又はナノ結晶の合金からなり、この合金の磁気の配列はフェロ磁性型であり、自由層は実質的に面内磁化を有する。

Claim (excerpt)：

磁気トンネル接合(60)で形成されたメモリポイントを有し、 - 固定磁化を有するいわゆる固定磁性層(61)と、 - 磁化を反転させることが可能ないわゆる自由磁性層(63)と、 - 前記自由層(63)と前記固定層(61)との間に挟まれており、これらの2層と接触している絶縁層(62)とを備えた磁気メモリにおいて、前記自由層(63)は希土類及び遷移金属を主体とする非晶質又はナノ結晶の合金からなり、該合金の磁気の配列がフェリ磁性型であり、前記自由層(63)が実質的に面内磁化を有することを特徴とする磁気メモリ。

IPC (3)：

H01L27/105 , G11C11/15 , H01L43/08

FI (5)：

H01L27/10 447 , G11C11/15 110 , G11C11/15 140 , H01L43/08 M , H01L43/08 Z

F-Term (6)：

5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083GA09 , 5F083JA60 , 5F083KA01 , 5F083KA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

磁気素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-039342 Applicant：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-037527 Applicant：シャープ株式会社
磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-001189 Applicant：シャープ株式会社

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