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J-GLOBAL ID：200903007573031687

磁気抵抗効果素子および磁気メモリ

Inventor：
斉 藤 好 昭

About 斉 藤 好 昭

, 
杉 山 英 行

About 杉 山 英 行


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (5)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003203783
Publication number (International publication number)：2005050907
Application date： Jul. 30, 2003
Publication date： Feb. 24, 2005
Summary：
【課題】低消費電力でかつ低電流書き込みで動作するとともに、素子破壊が無く信頼性を高くすることを可能にする。【解決手段】少なくとも1層の磁性層を有しスピンの方向が固定された第1磁化固着層6と、少なくとも1層の磁性層を有しスピンの方向が固定された第2磁化固着層14と、第1磁化固着層と第2磁化固着層との間に設けられ少なくとも1層の磁性層を有しスピンの方向が可変の磁気記録層10と、第1磁化固着層と磁気記録層との間に設けられるトンネルバリア層8と、磁気記録層と第2磁化固着層との間に設けられる中間層12と、を備えたことを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
少なくとも1層の磁性層を有しスピンの方向が固定された第1磁化固着層と、少なくとも1層の磁性層を有しスピンの方向が固定された第2磁化固着層と、前記第1磁化固着層と前記第2磁化固着層との間に設けられ少なくとも1層の磁性層を有しスピンの方向が可変の磁気記録層と、 前記第1磁化固着層と前記磁気記録層との間に設けられるトンネルバリア層と、 前記磁気記録層と前記第2磁化固着層との間に設けられる中間層と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3)：
H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  H01L27/105
FI (3)：
H01L43/08 Z ,  G11C11/15 116 ,  H01L27/10 447
F-Term (6)：
5F083FZ10 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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