プラズマ処理装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：金本哲男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997264821
Publication number (International publication number)：1998144662
Application date： Sep. 11, 1997
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】ダイポールリング磁石を備えたプラズマ処理装置において、処理容器内の磁場の均一性を向上させる。【解決手段】ダイポールリング磁石41を処理容器3の外周に備えたプラズマ処理装置において、ダイポールリング磁石41を構成するセグメント磁石M1〜M40を処理容器3外周に楕円状に配置する。各セグメント磁石M1〜M40の処理容器3に対する距離が場所によって異なり、磁気モーメントを調整して磁場の補正ができる。各セグメント磁石M1〜M40は、同形同大かつ同一構成のものを使用できる。

Claim (excerpt)：

処理容器内に処理ガスを導入すると共に、この処理ガスをプラズマ化して処理容器内の被処理基板に対して所定の処理を行う装置であって、複数の異方性セグメント磁石を処理容器の外周に環状に配置したダイポールリング磁石を備えたプラズマ処理装置において、前記異方性セグメント磁石の配置を楕円状にしたことを特徴とする、プラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/302 B , H01L 21/203 S , H01L 21/205 , H05H 1/46 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開平3-257160
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-062034 Applicant：東京エレクトロン株式会社
マグネトロンプラズマ用磁場発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-351139 Applicant：信越化学工業株式会社

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Cited by examiner (5)

特開平3-257160
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-062034 Applicant：東京エレクトロン株式会社
マグネトロンプラズマ用磁場発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-351139 Applicant：信越化学工業株式会社

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