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J-GLOBAL ID:200903033409565647

エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 山下 昭彦 ,  岸本 達人
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007256852
Publication number (International publication number):2009087781
Application date: Sep. 28, 2007
Publication date: Apr. 23, 2009
Summary:
【課題】本発明は、量子ドットを含有する発光層を容易にパターニングすることが可能なEL素子の製造方法を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、第1電極層が形成された基板上に、光触媒を含有し、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により濡れ性が変化する濡れ性変化層を形成する濡れ性変化層形成工程と、上記濡れ性変化層にパターン状にエネルギー照射することにより、上記濡れ性変化層表面に親液性領域および撥液性領域からなる濡れ性変化パターンを形成する濡れ性変化パターン形成工程と、上記親液性領域上に、周囲に配位子が配置された量子ドットを含有する発光層形成用塗工液を塗布して、発光層を形成する発光層形成工程とを有することを特徴とするEL素子の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
第1電極層が形成された基板上に、光触媒を含有し、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により濡れ性が変化する濡れ性変化層を形成する濡れ性変化層形成工程と、 前記濡れ性変化層にパターン状にエネルギー照射することにより、前記濡れ性変化層表面に親液性領域および撥液性領域からなる濡れ性変化パターンを形成する濡れ性変化パターン形成工程と、 前記親液性領域上に、周囲に配位子が配置された量子ドットを含有する発光層形成用塗工液を塗布して、発光層を形成する発光層形成工程と を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
IPC (2):
H05B 33/10 ,  H01L 51/50
FI (2):
H05B33/10 ,  H05B33/14 A
F-Term (10):
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC45 ,  3K107DD53 ,  3K107DD58 ,  3K107DD70 ,  3K107GG06 ,  3K107GG23 ,  3K107GG24 ,  3K107GG28
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (8)
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