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J-GLOBAL ID：200903033426282080

フォトレジスト用高分子化合物の製造方法

Inventor：
蒲原 茂樹

About 蒲原 茂樹

, 
木下 明

About 木下 明


Applicant, Patent owner：
ダイセル化学工業株式会社

About ダイセル化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005011035
Publication number (International publication number)：2006199764
Application date： Jan. 19, 2005
Publication date： Aug. 03, 2006
Summary：
【課題】フォトレジスト用樹脂組成物の樹脂成分として用いた場合、半導体製造工程の製膜に良好な品質を備えたフォトレジスト用高分子化合物の製造法を提供する。【解決手段】酸により脱離してアルカリ可溶となる基を有するモノマーAと、極性基含有脂環式骨格を有するモノマーBとを少なくとも含むモノマーおよび重合開始剤を溶媒に溶解して、重合温度に昇温された溶媒中に滴下しながら重合させ、重合溶液を貧溶媒(沈殿溶媒)に添加して、ポリマーを沈殿させ、沈殿を遠心分離機により遠心分離で、溶媒を除去後、湿結晶をグリコール系溶媒に溶解し、減圧蒸留にて濃縮してフォトレジスト高分子化合物の溶液を製造する方法において、遠心分離での遠心力が400〜700G(G;重力加速度)で脱液をすることを特徴とするフォトレジスト用高分子化合物の製造法。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
酸により脱離してアルカリ可溶となる基を有するモノマーAと、極性基含有脂環式骨格を有するモノマーBとを少なくとも含むモノマーおよび重合開始剤を溶媒に溶解して、重合温度に昇温された溶媒中に滴下しながら重合させ、重合溶液を貧溶媒(沈殿溶媒)に添加して、ポリマーを沈殿させ、沈殿を遠心分離機により遠心分離で、溶媒を除去後、湿結晶をグリコール系溶媒に溶解し、減圧蒸留にて濃縮してフォトレジスト高分子化合物の溶液を製造する方法において、遠心分離での遠心力が400〜700G(G;重力加速度)で脱液をすることを特徴とするフォトレジスト用高分子化合物の製造法。
IPC (4)：
C08F 2/06 ,  C08F 6/12 ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/039
FI (4)：
C08F2/06 ,  C08F6/12 ,  G03F7/033 ,  G03F7/039 601
F-Term (33)：
2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025FA17 ,  4J011AA05 ,  4J011BB12 ,  4J011HA03 ,  4J011HB06 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04P ,  4J100BA04Q ,  4J100BA16P ,  4J100BA16Q ,  4J100BA20P ,  4J100BA20Q ,  4J100BC01P ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12Q ,  4J100BC53Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100GC07 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

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