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J-GLOBAL ID:200903033474260144

層状結晶構造酸化物およびそれを用いたメモリ素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 藤島 洋一郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997076154
Publication number (International publication number):1998273395
Application date: Mar. 27, 1997
Publication date: Oct. 13, 1998
Summary:
【要約】【課題】 抗電界の低い層状結晶構造酸化物を提供する。【解決手段】 〔Bi2+a O2 2+〔Me(m-1)(1+b)Rm O3m+1+c2-の組成式で表される層状結晶構造酸化物。Meは第1の元素でNa,K,Ca,Ba,Sr,PbおよびBiのうちの少なくとも1種、Rは第2の元素でFe,Ti,Nb,TaおよびWのうちの少なくとも1種である。a,b,cは化学量論的な組成からのずれを表す変数、mは2〜5の整数である。第2の元素(R)に対するBiの組成比(2+a)/mは化学量論的な組成比2/mよりも大きい。第1の元素(Me)に対するBiの組成比(2+a)/(m-1)(1+b)は化学量論的な組成比2/(m-1)の近傍±0.17/(m-1)の範囲内である。このような組成の層状結晶構造酸化物は他の組成のものよりも抗電界が低い。
Claim (excerpt):
ビスマス(Bi)と第1の元素と第2の元素と酸素(O)とからなると共に、第1の元素はナトリウム(Na),カリウム(K),カルシウム(Ca),バリウム(Ba),ストロンチウム(Sr),鉛(Pb)およびビスマス(Bi)からなる群のうちの少なくとも1種でありかつ第2の元素は鉄(Fe),チタン(Ti),ニオブ(Nb),タンタル(Ta)およびタングステン(W)からなる群のうちの少なくとも1種である層状結晶構造酸化物であって、第2の元素に対するビスマスの組成比が化学量論的な組成比よりも大きいことを特徴とする層状結晶構造酸化物。
IPC (9):
C30B 29/22 ,  C30B 29/68 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (6):
C30B 29/22 D ,  C30B 29/68 ,  H01L 21/316 M ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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