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J-GLOBAL ID:200903033489092205
有機エレクトロルミネッセンス素子、それを用いた画像形成装置、携帯端末、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002052760
Publication number (International publication number):2003257661
Application date: Feb. 28, 2002
Publication date: Sep. 12, 2003
Summary:
【要約】【課題】 長寿命で高い発光性能を維持することができる有機エレクトロルミネッセンス素子の提供、長寿命で高い発光性能を維持することができる画像形成装置の提供、重量が軽く使用時間が長い携帯端末の提供、簡単な工程で形成でき、作業性が高く、生産性も高い有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板1上に、少なくとも正孔を注入する陽極2と、発光領域を有する発光層4と、電子を注入する陰極を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記発光層を含む発光部の面積は、前記発光層からの光を取り出す開口部の面積よりも大きく形成されている構成よりなる。
Claim (excerpt):
基板上に、少なくとも正孔を注入する陽極と、発光領域を有する発光層と、電子を注入する陰極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記発光層を含む発光部の面積は、前記発光層からの光を取り出す開口部の面積よりも大きいことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
IPC (4):
H05B 33/14
, H05B 33/02
, H05B 33/10
, H05B 33/26
FI (4):
H05B 33/14 A
, H05B 33/02
, H05B 33/10
, H05B 33/26 Z
F-Term (10):
3K007AB02
, 3K007AB03
, 3K007AB08
, 3K007AB11
, 3K007AB17
, 3K007AB18
, 3K007CC01
, 3K007CC04
, 3K007DB03
, 3K007FA00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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光学的素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-291810
Applicant:ソニー株式会社
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表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-183922
Applicant:ソニー株式会社
-
エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-087662
Applicant:日本電装株式会社
-
有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-070370
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
EL表示装置及びその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-336249
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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ライン発光デバイス
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-245161
Applicant:ティーディーケイ株式会社, 株式会社半導体エネルギー研究所
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有機エレクトロルミネッセンス素子、それを用いた表示装置及び携帯端末
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-129128
Applicant:松下電器産業株式会社
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有機エレクトロルミネッセンス素子、それを用いた表示装置及び携帯端末
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-129129
Applicant:松下電器産業株式会社
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発光装置および電気器具
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-142693
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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