半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松浦兼行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994217351
Publication number (International publication number)：1996083805
Application date： Sep. 12, 1994
Publication date： Mar. 26, 1996
Summary：

【要約】【目的】本発明は接合特性劣化を抑制し得る半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】シリコン酸化膜6上には、開口101内にせり出すように、P型のベース電極用の多結晶シリコン7が形成されている。開口101内のシリコンコレクタ層3上に、アンドープ単結晶Si0.9Ge0.1層10、P+型単結晶Si0.9Ge0.1層11及びN+型単結晶エミッタ16が形成されている。単結晶Si0.9Ge0.1層10と単結晶Si0.9Ge0.1層11は、多結晶シリコン7の下方に位置する部分の厚さが、他の部分の厚さよりも薄い断面台形状に形成されている。P+型単結晶シリコン層12は、多結晶シリコン7の下方に位置する部分の厚さが、他の部分の厚さよりも厚く形成されており、多結晶膜13を介して多結晶シリコン7に接触している。

Claim (excerpt)：

第1の導電型の単結晶半導体層上に形成された第1の絶縁膜に選択的に開口が形成され、第2の導電型の第1の多結晶半導体膜が前記第1の絶縁膜上で、かつ、前記開口の全周囲から前記第1の絶縁膜の厚さよりも長い寸法で前記開口の上方へ水平方向に伸びたせり出し部分を有するように設けられ、前記第1の多結晶半導体膜の表面及び側面に第2の絶縁膜が形成され、前記開口内の前記単結晶半導体層上には、それぞれ前記第1の多結晶半導体膜の下方位置では前記開口の端に近付くに従って厚さが薄くなる形状の第1の単結晶半導体膜と第2の導電型の第2の単結晶半導体膜とが順次に積層されると共に、該第2の単結晶半導体膜上には前記第1の多結晶半導体膜の下方位置では前記開口の端に近付くに従って厚さが厚くなる形状の第3の単結晶半導体膜が形成され、前記第1の多結晶半導体膜のせり出し部分の下面から前記開口内へ第2の導電型の第2の多結晶半導体膜が設けられ、前記第3の単結晶半導体膜と該第2の多結晶半導体膜とは前記第1の絶縁膜の開口段差の途中で互いに接続されており、前記開口内において前記第2の多結晶半導体膜の側面と前記第3の単結晶半導体膜の一部と前記第2の絶縁膜の表面に形成された第3の絶縁膜を介して第1の導電型の第3の多結晶半導体膜が形成されると共に、該第3の多結晶半導体膜と前記第2の単結晶半導体膜との間に第4の単結晶半導体膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/331 , H01L 29/73

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-341421 Applicant：日本電気株式会社
特開昭62-042451
特開平2-234433

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