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J-GLOBAL ID：200903033668220275

III族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法

Inventor：
中條 直樹

About 中條 直樹

, 
神谷 真央

About 神谷 真央

, 
瀧 哲也

About 瀧 哲也


Applicant, Patent owner：
豊田合成株式会社

About 豊田合成株式会社


Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004286219
Publication number (International publication number)：2005277374
Application date： Sep. 30, 2004
Publication date： Oct. 06, 2005
Summary：
【課題】III族窒化物系化合物半導体発光素子の駆動電圧を高めることなく光取り出し効率を向上させる。【解決手段】半導体面から光を取り出すIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、p型コンタクト層(第2のp層)108の上に選択成長法で形成したMgを8×1019ドープしたp型GaNから成る高さ約1.5μmのIII族窒化物系化合物半導体突起部150を形成し、その上には金属蒸着による透光性の透光性電極110を形成した。III族窒化物系化合物半導体突起部150によって光取り出し面が凹凸になり実質的な臨界角が広がり、光取り出し効率を向上することができる。またエッチングを用いて凹凸を形成していないので駆動電圧の増大もない。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板上にエピタキシャル成長によりIII族窒化物系化合物半導体を積層して形成される発光素子であって、 光を取り出す半導体の成長表面にIII族窒化物系化合物半導体からなる凹凸面を設けること を特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L33/00 ,  H01L21/205
FI (2)：
H01L33/00 C ,  H01L21/205
F-Term (22)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA99 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045AF05 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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