Pat

J-GLOBAL ID：200903063196003395

半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： 岡 崎 治 彦 ,  新 田 康 一 ,  野 崎 千 晴
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998366803
Publication number (International publication number)：2000196152
Application date： Dec. 24, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 電極とのオーミック接触を確保すると共に、光の取り出し効率を劇的に改善することができる半導体発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 光の取り出し面を凹凸状に加工することにより、活性層から放出された光の取り出し効率すなわち、外部量子効率を大幅に改善することができる。また、p型GaN層の表面付近にマグネシウム(Mg)などのp型ドーパントを含んだ層を堆積して拡散させ、その層を除去した後にp側電極を形成することにより、p側電極とのオーミック接触を確保し、電極の剥離も防ぎ、信頼性も改善することができる。

Claim (excerpt)：

窒化物系半導体からなる発光部を備えた半導体発光素子であって、前記発光部から放出される光の外部への取り出し効率が改善されるように光取り出し面に凹凸が設けられていることを特徴とする半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 N ,  H01L 33/00 C

F-Term (12)：

5F041AA03 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA72 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 特開昭56-071986
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-100215   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 素子の電極及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-028527   Applicant：豊田合成株式会社
• 特開昭62-139365
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-019748   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 3族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-281873   Applicant：豊田合成株式会社
• 半導体発光素子、およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-069081   Applicant：ローム株式会社
• p型窒化物系III-V族化合物半導体層の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-244079   Applicant：ソニー株式会社