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J-GLOBAL ID：200903033689222901

光起電力素子

Inventor： 松山 深照 ,  松田 高一
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996342725
Publication number (International publication number)：1998173216
Application date： Dec. 06, 1996
Publication date： Jun. 26, 1998
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、光閉じ込め効果により、光電変換効率を向上させつつ、製造工程における歩留まり、耐候性および耐久性等の信頼性を向上させた光起電力素子を提供する。【解決手段】 本発明の光起電力素子は、多結晶質の材料からなる基板の上に、非単結晶半導体を形成した光起電力素子において、前記基板の表面に露出した多結晶の個々の結晶粒の表面は平坦であり、前記基板の表面に、前記多結晶の粒界に沿った段差、又は、前記多結晶の粒界部分に隆起若しくは凹みを設けた基板を用いたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

多結晶質の材料からなる基板の上に、非単結晶半導体を形成した光起電力素子において、前記基板の表面に露出した多結晶の個々の結晶粒の表面は平坦であり、前記基板の表面に、前記多結晶の粒界に沿った段差、又は、前記多結晶の粒界部分に隆起若しくは凹みを設けた基板を用いたことを特徴とする光起電力素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 光起電力素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-342726   Applicant：キヤノン株式会社
• 光起電力素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-013364   Applicant：キヤノン株式会社
• 光起電力素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-013365   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開昭59-152676