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J-GLOBAL ID：200903072531930491

光起電力素子

Inventor： 松田 高一 ,  松山 深照
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997013364
Publication number (International publication number)：1998200146
Application date： Jan. 08, 1997
Publication date： Jul. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、光閉じ込め効果により、光電変換効率を向上させつつ、製造工程における歩留まり、耐候性および耐久性等の信頼性を向上させた光起電力素子を提供する。【解決手段】 本発明の光起電力素子は、基板の上に多結晶質薄膜と非単結晶半導体を有する光起電力素子において、前記多結晶質薄膜は前記多結晶質薄膜の個々の結晶粒の表面は実質的に平坦であり、前記多結晶質薄膜の表面に、多結晶の粒界に沿った段差、又は、多結晶の粒界部分に隆起若しくは凹みを有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板の上に多結晶質薄膜と非単結晶半導体を有する光起電力素子において、前記多結晶質薄膜は前記多結晶質薄膜の個々の結晶粒の表面が実質的に平坦であり、前記多結晶質薄膜の表面に、多結晶の粒界に沿った段差、又は、多結晶の粒界部分に隆起若しくは凹みを有することを特徴とする光起電力素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 光起電力素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-342725   Applicant：キヤノン株式会社
• 光起電力素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-342726   Applicant：キヤノン株式会社
• 光起電力素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-013365   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開昭59-152676