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J-GLOBAL ID：200903098265958538
光起電力素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997013365
Publication number (International publication number)：1998200147
Application date： Jan. 08, 1997
Publication date： Jul. 31, 1998
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、光閉じ込め効果により、光電変換効率を向上させつつ、製造工程における歩留まり、耐候性および耐久性等の信頼性を向上させた光起電力素子を提供する。【解決手段】 本発明の光起電力素子は、基板上に多結晶質薄膜と非単結晶半導体を有する光起電力素子において、前記多結晶質薄膜は前記多結晶質薄膜の個々の結晶粒の表面の平坦性に差があり、前記多結晶質薄膜の表面に、凹凸の形成された表面を有する多結晶粒と平坦な表面を有する多結晶粒が混在することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
基板上に多結晶質薄膜と非単結晶半導体を有する光起電力素子において、前記多結晶質薄膜は前記多結晶質薄膜の個々の結晶粒の表面の平坦性に差があり、前記多結晶質薄膜の表面に、凹凸の形成された表面を有する多結晶粒と平坦な表面を有する多結晶粒が混在することを特徴とする光起電力素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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