レジスト組成物

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：野口恭弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000176604
Publication number (International publication number)：2001356480
Application date： Jun. 13, 2000
Publication date： Dec. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】特に放射線に対する透明性、ドライエッチング性に優れ、さらに感度、解像度、平坦性、耐熱性等に優れたレジストパターンを与える化学増幅型レジスト用組成物を提供すること。【解決手段】 CF2=CX1X2(ただし、X1は水素原子またはフッ素原子、X2は水素原子、フッ素原子、塩素原子、炭素数3以下のパーフルオロアルキル基または炭素数3以下のパーフルオロアルコキシ基、を表す)で表される含フッ素モノマーのモノマー単位(a)、脂環基型エチレン性モノマーのモノマー単位(b)、2-アシルオキシ-3,3,3-トリフルオロプロペンのモノマー単位を加水分解して得られる水酸基を、酸によって水酸基を再生可能な基でブロックした最終的モノマー単位(c)を含む含フッ素ポリマー(A)、光照射を受けて酸を発生する酸発生化合物(B)および有機溶媒(C)を含むことを特徴とするレジスト組成物。

Claim (excerpt)：

CF2=CX1X2(ただし、X1は水素原子またはフッ素原子、X2は水素原子、フッ素原子、塩素原子、炭素数3以下のパーフルオロアルキル基または炭素数3以下のパーフルオロアルコキシ基、を表す)で表される含フッ素モノマーのモノマー単位(a)、脂環型エチレン性モノマーのモノマー単位(b)、式1で表されるモノマーのモノマー単位のエステル結合を加水分解した後、生成する水酸基を酸によって水酸基に再生可能な基でブロックしたモノマー単位(c)を含む含フッ素ポリマー(A)、光照射を受けて酸を発生する酸発生化合物(B)および有機溶媒(C)を含むことを特徴とするレジスト組成物。CH2=C(CF3)OCOR 式1(式中、Rは炭素数1ないし6のアルキル基を表す。)

IPC (9)：

G03F 7/039 601 , C08F 8/00 , C08F214/18 , C08F218/04 , C08K 5/00 , C08L 27/12 , C08L 31/02 , C08L 45/00 , H01L 21/027

FI (9)：

G03F 7/039 601 , C08F 8/00 , C08F214/18 , C08F218/04 , C08K 5/00 , C08L 27/12 , C08L 31/02 , C08L 45/00 , H01L 21/30 502 R

F-Term (60)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AA10 , 2H025AA18 , 2H025AB16 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BF11 , 2H025BG00 , 2H025CB06 , 2H025CB45 , 2H025FA17 , 4J002BB161 , 4J002BD121 , 4J002BD141 , 4J002BD151 , 4J002BD161 , 4J002BE041 , 4J002BF011 , 4J002BK001 , 4J002EA057 , 4J002EC007 , 4J002ED007 , 4J002EE027 , 4J002EH007 , 4J002EH157 , 4J002EQ016 , 4J002EU186 , 4J002EV296 , 4J002FD206 , 4J002FD207 , 4J002GP03 , 4J100AA15Q , 4J100AA20Q , 4J100AC24P , 4J100AC26P , 4J100AC27P , 4J100AE09P , 4J100AE09Q , 4J100AG33R , 4J100AR11Q , 4J100AR21Q , 4J100BB18P , 4J100BC04Q , 4J100BC08Q , 4J100BC09Q , 4J100BC12Q , 4J100CA05 , 4J100CA31 , 4J100HA08 , 4J100HA11 , 4J100HA19 , 4J100HB39 , 4J100HC05 , 4J100HC08 , 4J100HC28 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

157nmリソグラフィー用のレジスト材料
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2001-562262 Applicant：マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Design strategies for 157-nm single-layer photoresists: lithographic evaluation of a poly(α-trifluo

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