Pat
J-GLOBAL ID：200903033749646188

レジスト組成物

Inventor：
児玉 俊一

About 児玉 俊一

, 
岡田 伸治

About 岡田 伸治


Applicant, Patent owner：
旭硝子株式会社

About 旭硝子株式会社


Agent (1)： 野口 恭弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000176604
Publication number (International publication number)：2001356480
Application date： Jun. 13, 2000
Publication date： Dec. 26, 2001
Summary：
【要約】【課題】 特に放射線に対する透明性、ドライエッチング性に優れ、さらに感度、解像度、平坦性、耐熱性等に優れたレジストパターンを与える化学増幅型レジスト用組成物を提供すること。【解決手段】 CF2=CX1X2(ただし、X1は水素原子またはフッ素原子、X2は水素原子、フッ素原子、塩素原子、炭素数3以下のパーフルオロアルキル基または炭素数3以下のパーフルオロアルコキシ基、を表す)で表される含フッ素モノマーのモノマー単位(a)、脂環基型エチレン性モノマーのモノマー単位(b)、2-アシルオキシ-3,3,3-トリフルオロプロペンのモノマー単位を加水分解して得られる水酸基を、酸によって水酸基を再生可能な基でブロックした最終的モノマー単位(c)を含む含フッ素ポリマー(A)、光照射を受けて酸を発生する酸発生化合物(B)および有機溶媒(C)を含むことを特徴とするレジスト組成物。
Claim (excerpt)：
CF2=CX1X2(ただし、X1は水素原子またはフッ素原子、X2は水素原子、フッ素原子、塩素原子、炭素数3以下のパーフルオロアルキル基または炭素数3以下のパーフルオロアルコキシ基、を表す)で表される含フッ素モノマーのモノマー単位(a)、脂環型エチレン性モノマーのモノマー単位(b)、式1で表されるモノマーのモノマー単位のエステル結合を加水分解した後、生成する水酸基を酸によって水酸基に再生可能な基でブロックしたモノマー単位(c)を含む含フッ素ポリマー(A)、光照射を受けて酸を発生する酸発生化合物(B)および有機溶媒(C)を含むことを特徴とするレジスト組成物。CH2=C(CF3)OCOR 式1(式中、Rは炭素数1ないし6のアルキル基を表す。)
IPC (9)：
G03F 7/039 601 ,  C08F 8/00 ,  C08F214/18 ,  C08F218/04 ,  C08K 5/00 ,  C08L 27/12 ,  C08L 31/02 ,  C08L 45/00 ,  H01L 21/027
FI (9)：
G03F 7/039 601 ,  C08F 8/00 ,  C08F214/18 ,  C08F218/04 ,  C08K 5/00 ,  C08L 27/12 ,  C08L 31/02 ,  C08L 45/00 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (60)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AA10 ,  2H025AA18 ,  2H025AB16 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BF11 ,  2H025BG00 ,  2H025CB06 ,  2H025CB45 ,  2H025FA17 ,  4J002BB161 ,  4J002BD121 ,  4J002BD141 ,  4J002BD151 ,  4J002BD161 ,  4J002BE041 ,  4J002BF011 ,  4J002BK001 ,  4J002EA057 ,  4J002EC007 ,  4J002ED007 ,  4J002EE027 ,  4J002EH007 ,  4J002EH157 ,  4J002EQ016 ,  4J002EU186 ,  4J002EV296 ,  4J002FD206 ,  4J002FD207 ,  4J002GP03 ,  4J100AA15Q ,  4J100AA20Q ,  4J100AC24P ,  4J100AC26P ,  4J100AC27P ,  4J100AE09P ,  4J100AE09Q ,  4J100AG33R ,  4J100AR11Q ,  4J100AR21Q ,  4J100BB18P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12Q ,  4J100CA05 ,  4J100CA31 ,  4J100HA08 ,  4J100HA11 ,  4J100HA19 ,  4J100HB39 ,  4J100HC05 ,  4J100HC08 ,  4J100HC28 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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