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J-GLOBAL ID：200903033760419622
半導体装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996191759
Publication number (International publication number)：1998041502
Application date： Jul. 22, 1996
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：
【要約】【課題】本発明は、シリコン技術と融合しうる微小接合が備えられた半導体装置であり、より高温においてトンネル現象がとらえられる半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は上記課題を解決するために、表面に絶縁膜層が形成された基板と、前記絶縁膜層上に形成され、側壁部が備えられた半導体薄膜層と、この半導体薄膜層の側壁部に形成されたゲ-ト絶縁膜と、このゲ-ト絶縁膜を介して前記半導体薄膜層の側壁部に隣接して形成されたゲ-ト電極と、前記ゲ-ト電極の制御により前記半導体薄膜層に形成されるチャネル層と、前記チャネル層のフロント側に電子濃度を制御する複数の電子濃度制御手段が設けられたことを特徴とする半導体装置を提供する。
Claim (excerpt)：
表面に絶縁膜層が形成された基板と、前記絶縁膜層上に形成され、側壁部が備えられた半導体薄膜層と、この半導体薄膜層の側壁部に形成されたゲ-ト絶縁膜と、このゲ-ト絶縁膜を介して前記半導体薄膜層の側壁部に形成されたゲ-ト電極と、前記ゲ-ト電極の制御により前記半導体薄膜層に形成されるチャネル層と、前記チャネル層の表面側の電子濃度を制御する電子濃度制御手段とが設けられたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 29/78
, H01L 29/66
, H01L 29/80
, H01L 49/00
H01L 29/78 301 J
, H01L 29/66
, H01L 49/00 Z
, H01L 29/80 A
