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J-GLOBAL ID：200903083050043469

クーロンブロッケード素子およびその製造方法

Inventor： 小野 行徳 ,  高橋 庸夫
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995094790
Publication number (International publication number)：1996288505
Application date： Apr. 20, 1995
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】 0次元的な電子(正孔)を小さなサイズで閉じ込め、高温でも十分動作できるクーロンブロッケード素子を得る。【構成】 上下を絶縁膜2、4で挟まれたシリコン層1の側壁に、絶縁膜5を介して微小電極9を有し、その片脇または両脇の近傍まで導電性シリコン層6を有する構造とする。

Claim (excerpt)：

少なくとも上下を絶縁膜で挟まれたシリコン層の側壁に、絶縁膜を介して接続する幅が狭い微小電極を有し、その片脇または両脇の近傍まで伸びた導電性シリコン層を有する構造のクーロンブロッケード素子。

IPC (7)：

H01L 29/78 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/786 ,  H01L 49/00

FI (7)：

H01L 29/78 301 J ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/12 B ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 49/00 Z ,  H01L 29/78 622

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置および論理回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-161071   Applicant：株式会社日立製作所
• シングルエレクトロントランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-087104   Applicant：株式会社日立製作所