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J-GLOBAL ID：200903033785938420

半導体装置の製造方法

Inventor： 小林 岳史
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997053556
Publication number (International publication number)：1998256538
Application date： Mar. 07, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】 イオン注入後の中温加熱を伴う処理工程で発生する、打ち込みイオンの異常拡散現象を抑制して浅い接合の拡散層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 MOSトランジスタ部1のゲート電極部2を形成し、LDD層30形成のためのイオン注入をしてイオン注入層16を形成した後、RTA法による短時間の高温熱処理をしてLDD層30を形成し、その後サイドウォール酸化膜17形成のための、中温加熱を伴う処理工程であるTEOS酸化膜堆積工程を行い、このTEOS酸化膜をエッチバックしてサイドウォール酸化膜17を形成する。【効果】 特性の良い、高集積化した半導体装置の作製が可能となる。

Claim (excerpt)：

イオン注入法により不純物拡散層を形成する半導体装置の製造方法において、前記イオン注入後の中温加熱を伴う処理工程以前に、高温加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/265

FI (3)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/265 602 B ,  H01L 29/78 301 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-285635   Applicant：ヤマハ株式会社
• ゲート・ドレインオーバーラツプを有する絶縁型ゲート電界効果トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-068324   Applicant：エスジーエス-トムソン・マイクロエレクトロニクス・インコーポレイテツド
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-128066   Applicant：三菱電機株式会社