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J-GLOBAL ID：200903033819976725

薄膜の形成方法及び半導体装置の製造方法

Inventor： 高橋 裕之 ,  笠原 健資 ,  中山 達峰 ,  大野 泰夫 ,  羽山 信幸 ,  宮本 広信 ,  松永 高治 ,  安藤 裕二 ,  葛原 正明
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 渡辺 喜平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000265415
Publication number (International publication number)：2002075991
Application date： Sep. 01, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、境界面準位及び保護膜内部の準位を減少させた保護膜を効率良く形成することにより、信頼性を向上させ、かつ、生産コスト及び生産リードタイムを改善可能な薄膜の形成方法,半導体装置及びその製造方法の提供を目的とする。【解決手段】 先ず、基板1上にアルミニウム薄膜4を形成し、窒素中でアニールを行なうことにより、アルミニウム薄膜4を窒化し、窒化アルミニウムの保護膜を形成する。そして、電極形成部分に開口部2bを形成し、半導体装置の電極2aを形成する。

Claim (excerpt)：

物質の表面上にアルミニウムを含む金属薄膜を形成し、当該金属薄膜を窒素雰囲気中でアニールすることにより、窒化アルミニウム薄膜を形成することを特徴とする薄膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/318 A ,  H01L 21/283 C ,  H01L 21/90 L ,  H01L 21/90 P

F-Term (23)：

4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104DD33 ,  4M104DD99 ,  4M104EE06 ,  4M104EE14 ,  5F033GG02 ,  5F033GG03 ,  5F033HH00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ78 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR05 ,  5F033SS26 ,  5F033XX00 ,  5F058BB05 ,  5F058BC09 ,  5F058BF55 ,  5F058BF56 ,  5F058BF64 ,  5F058BJ03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 反射防止膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-241426   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平4-186838
  
• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-347634   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-005011   Applicant：松下電子工業株式会社