錫-ビスマスはんだの接合方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井桁貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996189546
Publication number (International publication number)：1998041621
Application date： Jul. 18, 1996
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】本発明は、LSI素子および電子機器中のはんだ材料や接合用電極材料、またはんだにより回路基板に表面実装する際に重要な役割を果たす電極接合部表面の被覆処理に関し、Sn-Biはんだの接着強度を増す接着方法を得る。【解決手段】回路基板上のはんだ付け部にあらかじめ銀添加膜を形成し、次いではんだ付け部に電子部品をSn-Biはんだで接合する。はんだ付け部をニッケルまたは銅の膜で形成し、その表面に5μmを超えない厚さの銀添加膜を形成する。また、Snを40〜50Wt%、Biを40〜70Wt%を含む錫-ビスマスはんだを用いて電子部品を回路基板にはんだ付けする際、該回路基板上のはんだ付け部の表面被覆材に少なくともビスマスが50Wt%を超える錫-ビスマスはんだを用いる。

Claim (excerpt)：

回路基板上のはんだ付け部に銀(Ag)添加膜を形成し、次いで該はんだ付け部に電子部品を錫(Sn)-ビスマス(Bi)はんだで接合することを特徴とする錫-ビスマスはんだの接合方法。

IPC (3)：

H05K 3/34 512 , H05K 3/34 501 , H05K 3/34 505

FI (3)：

H05K 3/34 512 C , H05K 3/34 501 F , H05K 3/34 505 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-055661 Applicant：富士通株式会社
特開平4-293240
特表平7-509662

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