半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三好秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996193415
Publication number (International publication number)：1998041527
Application date： Jul. 23, 1996
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】この発明は、順方向電圧降下を減少させ、かつ、チップサイズの増大を抑制することを課題とする。【解決手段】この発明は、第1の導電型の半導体層と、該半導体層を挟む電極から構成される半導体装置であって、前記半導体層の所定の複数の領域に凹部を形成し、前記複数の凹部の内部に第2の導電型の埋込み層と該埋込み層の周辺に第2の導電型の拡散層を形成するように構成される。

Claim (excerpt)：

第1の導電型の半導体層と、該半導体層を挟む電極から構成される半導体装置であって、前記半導体層の所定の複数の領域に凹部を形成し、前記複数の凹部の内部に第2の導電型の埋込み層と該埋込み層の周辺に第2の導電型の拡散層を形成することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/872 , H01L 21/265

FI (3)：

H01L 29/48 P , H01L 21/265 R , H01L 29/48 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平3-105975
特開平3-105975
特開昭63-084155

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