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J-GLOBAL ID：200903033868918617

有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器

Inventor： 原 弘幸 ,  宇都宮 純夫 ,  安部 大介 ,  轟原 正義 ,  宮下 一幸
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (3)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006352679
Publication number (International publication number)：2007310352
Application date： Dec. 27, 2006
Publication date： Nov. 29, 2007
Summary：

【課題】有機EL素子の発光輝度の面内分布をより均一にすることができる有機EL装置を提供すること。【解決手段】本発明の有機EL装置は、少なくとも一方面に導電性を有する基板(10)と、上記基板の一方面上に形成される絶縁膜(50)と、各々、ソースが上記基板と接続されたpチャネル型のトランジスタ(58,62,64,66)を含み、上記絶縁膜上に形成される複数の駆動回路と、上記駆動回路の各々に対応して上記基板上に形成され、一方端子が上記トランジスタのドレインと接続され、他方端子が共通グランドと接続される複数の有機エレクトロルミネッセンス素子(82,88,90)と、を含む。また、導電性を有する基板の画素が形成される領域の外周部に電源供給用のパッドを設ける。【選択図】図23

Claim (excerpt)：

少なくとも一方面に導電性を有する基板と、 前記基板の前記一方面上に位置し、第1開口と、第2開口と、第3開口と、を有する第1絶縁膜と、 前記第1絶縁膜上に位置し、前記第1開口を介して前記基板の前記一方面から電流が供給される半導体膜と、 前記半導体膜上に位置し、前記第2開口を介して前記基板と接する第2絶縁膜と、 前記第2絶縁膜上に位置し、前記第2開口を介して前記基板と前記第2絶縁膜を挟持する容量電極と、 前記第2絶縁膜上に位置し、前記半導体膜と重なるゲート電極と、 前記ゲート電極及び前記容量電極上に位置する中間絶縁膜と、 前記中間絶縁膜上に位置し、前記半導体膜を介して電流が供給される画素電極と、 前記画素電極上に位置する発光層と、 前記発光層上に位置する共通電極と、 前記第1絶縁膜上に位置し、前記第3開口を介して前記基板の前記一方面に電流を供給する電源供給部と、を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。

IPC (10)：

G09F 9/30 ,  H05B 33/02 ,  H01L 51/50 ,  H01L 27/32 ,  G09G 3/30 ,  G09G 3/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52

FI (11)：

G09F9/30 338 ,  H05B33/02 ,  H05B33/14 A ,  G09F9/30 365Z ,  G09G3/30 Z ,  G09G3/20 621M ,  G09G3/20 642A ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 612B ,  H01L29/78 612D ,  H01L21/88 Z

F-Term (110)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC33 ,  3K107DD15 ,  3K107EE04 ,  3K107EE57 ,  3K107HH05 ,  5C080AA06 ,  5C080BB05 ,  5C080DD05 ,  5C080FF11 ,  5C080JJ02 ,  5C080JJ03 ,  5C080JJ06 ,  5C080KK07 ,  5C080KK47 ,  5C080KK49 ,  5C094AA21 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094EB10 ,  5C094FB12 ,  5C094FB19 ,  5F033GG00 ,  5F033GG01 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH35 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ35 ,  5F033KK01 ,  5F033KK03 ,  5F033KK04 ,  5F033KK05 ,  5F033KK08 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ76 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR13 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033SS26 ,  5F033SS27 ,  5F033VV04 ,  5F033VV07 ,  5F033VV10 ,  5F033VV15 ,  5F033XX24 ,  5F110AA02 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD21 ,  5F110DD22 ,  5F110DD25 ,  5F110EE03 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HL03 ,  5F110HM19 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN26 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 表示装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-109095   Applicant：キヤノン株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-265021   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所