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J-GLOBAL ID:200903083791111364

半導体装置およびその作製方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001265021
Publication number (International publication number):2002189429
Application date: Aug. 31, 2001
Publication date: Jul. 05, 2002
Summary:
【要約】【課題】 必要十分なキャパシティをもつ保持容量を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】 金属表面を有する基板と、前記金属表面を有する基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された画素部とを有する半導体装置において、前記画素部は、TFTと、該TFTと接続する配線とを有しており、保持容量は、前記金属表面を有する基板、前記絶縁膜および前記配線により構成されている。前記絶縁膜の膜厚が薄いほど、また、前記絶縁膜と前記配線の接する領域の面積が大きいほど、大きなキャパシティを得られるので有利である。
Claim (excerpt):
金属表面を有する基板と、前記金属表面を有する基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された画素部とを有する半導体装置であって、前記画素部は、TFTと、該TFTに接続する配線とを有しており、保持容量は、前記金属表面を有する基板、前記絶縁膜および前記配線により構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (11):
G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 330 ,  G09F 9/30 348 ,  G02F 1/13 505 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/35 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/786
FI (11):
G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 330 Z ,  G09F 9/30 348 A ,  G02F 1/13 505 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/35 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 F ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 612 Z ,  H01L 21/90 A
F-Term (144):
2H088EA10 ,  2H088HA01 ,  2H088HA08 ,  2H088MA20 ,  2H092JA24 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB57 ,  2H092KA04 ,  2H092KA10 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA17 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092NA25 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB08 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD65 ,  4M104FF08 ,  4M104GG20 ,  5C094AA15 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA15 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH10 ,  5F033HH11 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ10 ,  5F033JJ18 ,  5F033KK04 ,  5F033MM05 ,  5F033MM19 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ21 ,  5F033RR08 ,  5F033SS08 ,  5F033SS15 ,  5F033VV15 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AA18 ,  5F045AA19 ,  5F045AB01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (15)
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